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厂商型号

PDTA115EE

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW

丝印标识

5E

封装外壳

SOT-523

文件大小

93.83 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-2-10 10:09:00

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PDTA115EE规格书详情

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ

DESCRIPTION

PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).

FEATURES

• Built-in bias resistors

• Simplified circuit design

• Reduction of component count

• Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

• General purpose switching and amplification

• Inverter and interface circuits

• Circuit driver.

产品属性

  • 型号:

    PDTA115EE

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP W/RES 50V

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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NA
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