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PDTA114TT

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = open

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

PDTA114TU

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = open

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

PDTA114TU

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PDTA114TEF,115

Package:SC-89,SOT-490;包装:剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC89

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

PDTA114TK,115

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

PDTA114TK,135

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

详细参数

  • 型号:

    PDTA114T

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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更多PDTA114T供应商 更新时间2025-5-17 16:00:00