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PDS6811	文件：673.16 Kbytes Page：5 Pages	60V Dual P-Channel MOSFETs Features Applications 文件：673.16 Kbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDS6811	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Potens 博盛半导体	Potens
PMB6811	文件：184.29 Kbytes Page：2 Pages	S/M POWER Power Managem e n t for Cel l u l a r Systems 文件：184.29 Kbytes 页数：2 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
TEA6811	文件：194.45 Kbytes Page：24 Pages	Front-end and PLL synthesizers for car radios 文件：194.45 Kbytes 页数：24 Pages	PHI PHI	PHI
TEA6811V	文件：194.45 Kbytes Page：24 Pages	Front-end and PLL synthesizers for car radios 文件：194.45 Kbytes 页数：24 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

Configuration：
Dual
MOSFET Type：
P+P
V(BR)DSS (V) Min.：
-60
VGS (±V) Max.：
20
Vth (V) Max.：
-2.5
RDS(ON) (mΩ) Max.@VGS=10V：
160
RDS(ON)(mΩ) Max.@VGS=4.5 or 6V：
200
Ciss(pF)Typ.：
425
Coss(pF)Typ.：
35
Crss(pF)Typ.：
20
Qg(nC)Typ.@VGS=10V：
8.2
Qgs(nC)Typ.：
1.8
Qgd(nC)Typ.：
1.5
ID(A)@25℃ Max.：
2.2
PD(W)@25℃ Max.：
1.47
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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