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PDS6982-5	文件：675.7 Kbytes Page：5 Pages	65V N-Channel MOSFETs Features Applications 文件：675.7 Kbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDS6982B-5	文件：686.27 Kbytes Page：5 Pages	65V N-Channel MOSFETs Features - 65V,14A, RDS(ON) =5.3mΩ@VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available Applications - Networking - Load Switch - LED applications 文件：686.27 Kbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDS6986-5	文件：660.34 Kbytes Page：5 Pages	65V N-Channel MOSFETs Features Applications 文件：660.34 Kbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDS6986B-5	文件：1.01328 Mbytes Page：5 Pages	65V N-Channel MOSFETs Features - 65V,10A, RDS(ON) =8.4mΩ @VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available - Power Tools Applications - Motor Drive - LED Lighting - Quick Charger 文件：1.01328 Mbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDS6988-5	文件：1.17235 Mbytes Page：5 Pages	65V N-Channel MOSFETs Features - 65V,7.4A, RDS(ON) =16mΩ @VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available - Power Tools Applications - Motor Drive - LED Lighting - Quick Charger 文件：1.17235 Mbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDS69C6B-5	文件：833.35 Kbytes Page：5 Pages	65V N-Channel MOSFETs Features - 65V,10A, RDS(ON) =7mΩ@VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available Applications - Networking - Load Switch - LED applications - Quick Charger 文件：833.35 Kbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDS6708	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Potens 博盛半导体	Potens
PDS6710	文件：300 bytes Page：1 Pages	Middle & Low Voltage MOSFET	PDT	PDT
PDS6710	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
PDS6 REL.4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：156-LGA 模块；包装：袋类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频收发器模块和调制解调器描述：RF TXRX MOD CEL 2G/3G GLOBAL SMD	Thales DIS (formerly Gemalto)	Thales DIS (formerly Gemalto)

技术参数

组态：
Dual
MOS类型：
N+P
VDS(V)：
60
VGS(V)：
±20
Vth(V)：
1.2/1.6/2.5
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
25/30
4.5V：
28/36
Ciss(pF)：
1180
Coss(pF)：
68
Crss(pF)：
45
Qg(nC)_10V：
16.6
Qgs(nC)：
2.2
Qgd(nC)：
3.9
Rg W：
2.1
EAS (mJ)：
26.4
ID(A)_TA=25℃：
5.9
ID(A)_TA=70℃：
4.7
PD(W)_TA=25℃：
2.01
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

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更多PDS6供应商更新时间2026-7-28 12:00:00

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