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PDS4856	文件：300 bytes Page：1 Pages	Middle & Low Voltage MOSFET	PDT	PDT
PDS4856	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
PE4856	文件：120.03 Kbytes Page：1 Pages	PASTERNACK ENTERPRISES 文件：120.03 Kbytes 页数：1 Pages	PASTERNACK	PASTERNACK
PT4856	文件：233.25 Kbytes Page：13 Pages	25-A Triple Output Isolated DC/DC Converter For Logic Applications 文件：233.25 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
SI4856ADY-RC	文件：191.68 Kbytes Page：3 Pages	R-C Thermal Model Parameters 文件：191.68 Kbytes 页数：3 Pages	VAISH 威世	VAISH

技术参数

组态：
Dual
MOS类型：
N+N
VDS(V)：
40
VGS(V)：
±20
Vth(V)：
1.2/1.8/2.5
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
12/15
4.5V：
15/20
Ciss(pF)：
1088
Coss(pF)：
110
Crss(pF)：
80
Qg(nC)_4.5V：
13
Qgs(nC)：
4
Qgd(nC)：
5.3
Rg W：
3
EAS (mJ)：
76
ID(A)_Tc=25℃：
10
ID(A)_Tc=100℃：
6.3
PD(W)_Tc=25℃：
2.1
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

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更多PDS4856供应商更新时间2025-10-19 14:00:00

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