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FIR150N15ANFG	文件：4.80639 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
IXFH150N15P	文件：346.68 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·Converters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH150N15P	文件：109.83 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT??HiPerFETPowerMOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK150N15	文件：47.98 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier App	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK150N15P	文件：109.83 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT??HiPerFETPowerMOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN150N15	文件：70.28 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET SingleMOSFETDie Features ●Internationalstandardpackage ●Encapsulatingepoxymeets UL94V-0,flammabilityclassification ●miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR150N15	文件：38.51 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247 HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackside) SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR150N15	文件：329.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=105A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX150N15	文件：367.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX150N15	文件：47.98 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier App	IXYS IXYS Corporation	IXYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	PDP150N15BH	POTENS/博盛	24+	TO220	98000	原装现货假一罚十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	PDP-1D01	ALCATEL	23+	QFP144	97400	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	PDP1-S5-S3-M-TR		24+	N/A	69000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市中福国际管理有限公司	PDP1-S5-S5-M-TR	CUI	23+	DIP	13000	全新、原装	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	PDP-201		2017+	SMD	1585	只做原装正品假一赔十!	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	PDP-201	MINI	24+	SMD	3600	MINI专营品牌全新原装正品假一赔十	询价
深圳市湘达电子有限公司	PDP-201	SYNERGY	20+	NA	10000	全新原装现货,一片也是批量价。	询价
深圳市湘达电子科技有限公司	PDP-201	SYNERGY	22+	NA	10000	只做原装,价格优惠,长期供货。	询价
深圳市英瑞尔电子科技有限公司	PDP-201	SYNERGY	24+	SMD	3200	进口原装假一赔百	询价
深圳市英瑞芯科技有限公司	PDP-201	SYNERGY	2022+	NA	8600	原装正品,欢迎来电咨询!	询价

更多PDP150N15BH供应商更新时间2025-5-17 13:26:00

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