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PDM6UT20V08E

N+P MOSFET;

PrisemiShanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd.

芯导科技上海芯导电子科技股份有限公司

技术参数

  • VDS (V):

    -20

  • VGS (±V):

    8

  • ID (A):

    -0.8

  • RDS(ON)(mΩ)4.5V:

    1200

  • RDS(ON)(mΩ)2.5V:

    1500

  • VGS(th)(V) Min.:

    -0.5

  • VGS(th)(V) Max.:

    -1.1

  • Package:

    SOT363

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PDM6UT20V08E供应商 更新时间2025-7-27 14:14:00