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PDM6ET20V08E	文件：785.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel and P-Channel,20V,Small signal MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high densitycell and low on-resistance. 文件：785.34 Kbytes 页数：7 Pages	PRISEMI 芯导科技	PRISEMI
PDM6ET20V08E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N+P MOSFET	Prisemi 芯导科技	Prisemi
PDR3015-2R2MT	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	风华上传：北京贝诺电子科技发展有限公司	风华
PDS1040-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	特优价格	DIODESINC 上传：深圳市品优时代科技有限公司	DIODESINC
PDTA123ET	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂	NEXPERIA 安世上传：深圳市世正电子有限公司	NEXPERIA

技术参数

VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
ID (A)：
-0.8
RDS(ON)（mΩ）4.5V：
450
RDS(ON)（mΩ）2.5V：
620
VGS(th)(V) Min.：
-0.45
VGS(th)(V) Max.：
-0.85
Package：
SOT563

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更多PDM6ET20V08E供应商更新时间2025-12-16 9:03:00

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