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PDL01N60

MOSFETs

Potens

博盛半导体

SID01N60

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

文件:828.54 Kbytes 页数:5 Pages

SECOS

喜可士

SJV01N60

1A , 600V , RDS(ON) 10 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:79.09 Kbytes 页数:2 Pages

SECOS

喜可士

SSD01N60

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

文件:1.0485 Mbytes 页数:5 Pages

SECOS

喜可士

技术参数

  • 组态:

    Single

  • MOS类型:

    N

  • VDS(V):

    600

  • VGS(V):

    ±30

  • Vth(V):

    3/4/5

  • RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V:

    8500/10500

  • Ciss(pF):

    185

  • Coss(pF):

    20

  • Crss(pF):

    6

  • Qg(nC)_10V:

    5.9

  • Qgs(nC):

    1.9

  • Qgd(nC):

    2

  • Rg W:

    1.5

  • EAS (mJ):

    2

  • ID(A)_Tc=25℃:

    1

  • ID(A)_Tc=100℃:

    0.6

  • PD(W)_Tc=25℃:

    5.2

  • ESD Diode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

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更多PDL01N60供应商 更新时间2026-1-23 16:01:00