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PDEN2301S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Middle & Low Voltage MOSFET	PDT	PDT
PDEN2301S	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
PIT-2301	文件：324.84 Kbytes Page：2 Pages	ISDN U INTERFACE TRANSFORMER FOR SIEMENS 2091 ISDN U INTERFACE TRANSFORMER FOR SIEMENS 2091 文件：324.84 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
PJ2301	文件：190.6 Kbytes Page：7 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：190.6 Kbytes 页数：7 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJ2301MR	文件：465.21 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：465.21 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

组态：
Single
MOS类型：
P
VDS(V)：
-20
VGS(V)：
±10
Vth(V)：
0.3/0.6/1
4.5V：
70/85
2.5V：
95/120
1.8V：
130/170
Ciss(pF)：
350
Coss(pF)：
65
Crss(pF)：
50
Qg(nC)_4.5V：
4.8
Qgs(nC)：
0.5
Qgd(nC)：
1.9
ID(A)_Tc=25℃：
3.3
ID(A)_Tc=100℃：
2.1
PD(W)_Tc=25℃：
1.56
ESD Diode：
O
Schokkty Diode：
X

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更多PDEN2301S供应商更新时间2025-11-17 15:08:00

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