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PDD4912

40V N-Channel MOSFETs

Features - 40V,23A, RDS(ON) =28mΩ@VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available Applications - Networking - Load Switch - LED applications

文件:766.89 Kbytes 页数:5 Pages

POTENS

博盛半导体

PDD4912

MOSFET

Potens

博盛半导体

PDD4912-1

Middle & Low Voltage MOSFET

PDT

PDT

PDD4912-1

MOSFETs

Potens

博盛半导体

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET Type:

    N

  • V(BR)DSS (V) Min.:

    40

  • VGS (±V) Max.:

    20

  • Vth (V) Max.:

    2.5

  • RDS(ON) (mΩ) Max.@VGS=10V:

    28

  • RDS(ON)(mΩ) Max.@VGS=4.5 or 6V:

    38

  • Ciss(pF)Typ.:

    420

  • Coss(pF)Typ.:

    65

  • Crss(pF)Typ.:

    40

  • Qg(nC)Typ.@VGS=4.5V:

    4.5

  • Qgs(nC)Typ.:

    1.5

  • Qgd(nC)Typ.:

    1.9

  • ID(A)@25℃ Max.:

    23

  • PD(W)@25℃ Max.:

    25

  • ESD Diode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

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更多PDD4912供应商 更新时间2026-4-11 14:01:00