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PDD0959	文件：761.69 Kbytes Page：5 Pages	100V P-Channel MOSFETs Features - -100V,-30A, RDS(ON) 45mΩ@VGS = -10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available Applications - Networking - Load Switch - LED applications 文件：761.69 Kbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDD0959	文件：300 bytes Page：1 Pages	Middle & Low Voltage MOSFET	PDT	PDT
PDD0959	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
PDH0959	文件：1.11658 Mbytes Page：6 Pages	100V P-Channel MOSFETs Features - -100V,-35A, RDS(ON) 38mΩ@VGS = -10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - Green Device Available Applications - Networking - Load Switch - LED applications 文件：1.11658 Mbytes 页数：6 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDP0959	文件：628.23 Kbytes Page：5 Pages	100V P-Channel MOSFETs Features - -100V,-35A, RDS(ON) 45mΩ@VGS = -10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available Applications - Networking - Load Switch - LED applications 文件：628.23 Kbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDS0959	文件：1.25509 Mbytes Page：5 Pages	100V P-Channel MOSFETs Features - -100V,-4.5A, RDS(ON) 42mΩ@VGS = -10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - Green Device Available Applications - Networking - Load Switch - LED applications 文件：1.25509 Mbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS

技术参数

组态：
Single
MOS类型：
P
VDS(V)：
-100
VGS(V)：
±20
Vth(V)：
1.2 / - /2.5
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
36/45
4.5V：
40/55
Ciss(pF)：
6315
Coss(pF)：
220
Crss(pF)：
50
Qg(nC)_10V：
98
Qgs(nC)：
16.2
Qgd(nC)：
13.8
EAS (mJ)：
180
ID(A)_Tc=25℃：
30
ID(A)_Tc=100℃：
19
PD(W)_Tc=25℃：
102
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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