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PDD0906

Middle & Low Voltage MOSFET

PDT

PDT

PDD0906

MOSFETs

Potens

博盛半导体

RSZ-0906

1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output

文件:89.09 Kbytes 页数:2 Pages

RECOM

RSZ-0906HP

1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output

文件:89.09 Kbytes 页数:2 Pages

RECOM

SDR0906

SMD Power Inductors

文件:177.77 Kbytes 页数:2 Pages

Bourns

伯恩斯

技术参数

  • 组态:

    Single

  • MOS类型:

    N

  • VDS(V):

    100

  • VGS(V):

    ±20

  • Vth(V):

    1.2/1.6/2.5

  • RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V:

    72/90

  • 4.5V:

    75/100

  • Ciss(pF):

    1480

  • Coss(pF):

    480

  • Crss(pF):

    35

  • Qg(nC)_10V:

    9.3

  • Qgs(nC):

    2.1

  • Qgd(nC):

    1.8

  • Rg W:

    1.3

  • ID(A)_Tc=25℃:

    15

  • ID(A)_Tc=100℃:

    9.5

  • PD(W)_Tc=25℃:

    50

  • ESD Diode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
POTENS/博盛
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TO252
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更多PDD0906供应商 更新时间2025-12-16 14:09:00