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PDC4904X	文件：890.12 Kbytes Page：5 Pages	40V N-Channel MOSFETs General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanch 文件：890.12 Kbytes 页数：5 Pages	POTENS 博盛半导体	POTENS
PDC4904X	文件：300 bytes Page：1 Pages	Middle & Low Voltage MOSFET	PDT	PDT
PDC4904X	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
RN4904	文件：152.14 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications • Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process 文件：152.14 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SI4904DY	文件：243.08 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 40-V MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 R g Tested • UIS Tested APPLICATIONS • CCFL Inverter 文件：243.08 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4904DY	文件：245.72 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel 40-V MOSFET 文件：245.72 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

组态：
Single
MOS类型：
N
VDS(V)：
40
VGS(V)：
±20
Vth(V)：
1/1.6/2.5
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
4.2/5.5
4.5V：
5.3/7
Ciss(pF)：
2410
Coss(pF)：
233
Crss(pF)：
152
Qg(nC)_4.5V：
25
Qgs(nC)：
6.4
Qgd(nC)：
12.1
Rg W：
1.6
ID(A)_Tc=25℃：
90
ID(A)_Tc=100℃：
57
PD(W)_Tc=25℃：
83
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

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