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PDC3812V

Middle & Low Voltage MOSFET

PDT

PDT

PDC3812V

MOSFETs

Potens

博盛半导体

PEC3812AS-AU

ESD Protection

Features  ISO10605(C=330pF, R=330Ω) : -±30kV Air, ±30kV Contact for 8V ~ 24V -±25kV Air, ±20kV Contact for 36V  HBM ≧ ±8KV & CDM ≧ ±2KV  ISO7637-3(Note 3) : -Pulse 3a : VS = -150V -Pulse 3b : VS = +100V  IEC61000-4-5(Lightning) : 8~1.5A(8/20uS)  AEC-Q101 qualified  Lead free in com

文件:221.7 Kbytes 页数:6 Pages

PANJIT

強茂

PEC3812CS-AU

ESD Protection

Features  ISO10605(C=330pF, R=330Ω) : -±30kV Air, ±30kV Contact for 8V ~ 24V -±25kV Air, ±20kV Contact for 36V  HBM ≧ ±8KV & CDM ≧ ±2KV  ISO7637-3(Note 3) : -Pulse 3a : VS = -150V -Pulse 3b : VS = +100V  IEC61000-4-5(Lightning) : 8~1.5A(8/20uS)  AEC-Q101 qualified  Lead free in com

文件:220.81 Kbytes 页数:6 Pages

PANJIT

強茂

PST3812

IC for CMOS System Reset Monolithic IC

文件:66.6 Kbytes 页数:10 Pages

MITSUMI

三美

技术参数

  • 组态:

    Dual

  • MOS类型:

    N+N

  • VDS(V):

    30

  • VGS(V):

    ±20

  • Vth(V):

    1.2/1.5/2.5

  • RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V:

    17/20

  • 4.5V:

    23/30

  • Ciss(pF):

    345

  • Coss(pF):

    55

  • Crss(pF):

    32

  • Qg(nC)_4.5V:

    4.1

  • Qgs(nC):

    1

  • Qgd(nC):

    2.1

  • Rg W:

    3.2

  • EAS (mJ):

    14

  • ID(A)_Tc=25℃:

    20

  • ID(A)_Tc=100℃:

    13

  • PD(W)_Tc=25℃:

    20

  • ESD Diode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
POTENS/博盛
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PPAK3X3
120000
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POTENS/博盛
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PPAK3X3
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POTENS/博盛
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PPAK3X3
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POTENS/博盛
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Potens(博盛半导体)
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PPAK-5x6
105000
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更多PDC3812供应商 更新时间2025-12-17 14:00:00