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技术参数

组态：
Dual
MOS类型：
N+P
VDS(V)：
20
VGS(V)：
±10
Vth(V)：
0.3/0.6/1
4.5V：
30/40
2.5V：
42/55
1.8V：
55/70
Ciss(pF)：
315
Coss(pF)：
50
Crss(pF)：
40
Qg(nC)_4.5V：
5.8
Qgs(nC)：
0.6
Qgd(nC)：
1.5
ID(A)_Tc=25℃：
3.8
ID(A)_Tc=100℃：
2.3
PD(W)_Tc=25℃：
1.25
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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