| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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STTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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11年
留言
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STNA |
20000 |
25+ |
原装 |
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9年
留言
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ST(意法) |
9000 |
25/26+ |
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全新、原装 |
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4年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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5年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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5年
留言
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STNA |
60000 |
26+ |
只有原装 可配单 |
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1年
留言
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ST原厂原封 |
23480 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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9年
留言
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STNA |
20000 |
25+ |
原装,请咨询 |
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17年
留言
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ST |
97 |
24+ |
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6年
留言
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ST-意法半导体SO-10RF |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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ST/意法半导体原厂封装 |
10280 |
25+ |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
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11年
留言
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STSMD |
20000 |
25+ |
原装 |
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6年
留言
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STMSOP-10 |
326 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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STPowerSO10RF (Formed Lead) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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9年
留言
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ST(意法) |
9000 |
25/26+ |
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全新、原装 |
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4年
留言
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STSMD |
16900 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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-NA |
95410 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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8年
留言
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N/A |
70000 |
26+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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3年
留言
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ST/意法半导体原厂封装 |
10280 |
26+ |
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5年
留言
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STSMD |
16900 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
PD85015采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
PD85015图片
PD85015TR-E价格
PD85015TR-E价格:¥112.4681品牌:STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD85015TR-E多少钱,想知道PD85015TR-E价格是多少?参考价:¥112.4681。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,PD85015TR-E批发价格及采购报价,PD85015TR-E销售排行榜及行情走势,PD85015TR-E报价。
PD85015STR-E中文资料Alldatasheet PDF
更多PD85015功能描述:HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF
PD85015-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85015S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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PD85015TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray





















