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PD57018STR-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

PD57018STR-E

参数属性

PD57018STR-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:TRANSISTOR RF POWERSO-10

功能描述

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
TRANSISTOR RF POWERSO-10

封装外壳

PowerSO-10 裸露底部焊盘

文件大小

944.64 Kbytes

页面数量

25

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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更新时间

2026-2-2 22:59:00

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PD57018STR-E规格书详情

PD57018STR-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD57018STR-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PD57018STR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    945MHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 额定电流(安培):

    2.5A

  • 功率 - 输出:

    18W

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商器件封装:

    PowerSO-10RF(直引线)

  • 描述:

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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