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PD57018-E

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STN/A

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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PD57018TR-E

STTO-59

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深圳市坤融电子科技有限公司

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PD57018-E

ST/意法QFN

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深圳市金华微盛电子有限公司

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STSMD

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STMicroelectronicsN/A

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PD57018

STMicroelectronicsN/A

22360

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ST10PowerSO

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ST(意法)PowerSO-10 裸露底部焊盘

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STNA

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ST原厂原封

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PD57018

ST原厂原封

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深圳市百诺芯科技有限公司

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PD57018

ST/意法TO-59

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深圳市中飞凌科技有限公司

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PD57018

ST原厂原封

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原装现货,原厂渠道价格优势

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STNA

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原装

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ST10PowerSO

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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PD57018

STMicroelectronicsPowerSO-10 裸露底部焊盘

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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

深圳市星宇佳科技有限公司

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PD57018TR-E

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PD57018TR-E

ST(意法半导体)N/A

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PD57018S

STMicroelectronicsN/A

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PD57018-E价格

PD57018-E价格：￥146.6215品牌：STMicroelectronics

生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD57018-E多少钱，想知道PD57018-E价格是多少？参考价：￥146.6215。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，PD57018-E批发价格及采购报价，PD57018-E销售排行榜及行情走势，PD57018-E报价。

PD57018S中文资料Alldatasheet PDF

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PD57018功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 2.5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57018-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57018-E_10制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD57018S功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 2.5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57018S-E功能描述:MOSFET 8 BITS MICROCONTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

PD57018STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57018TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

产品属性

  • 产品编号：

    PD57018

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

  • 包装：

    带

  • 晶体管类型：

    LDMOS

  • 频率：

    945MHz

  • 增益：

    16.5dB

  • 额定电流（安培）：

    2.5A

  • 功率 - 输出：

    18W

  • 封装/外壳：

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商器件封装：

    10-PowerSO

  • 描述：

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

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