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PD57006STR-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PD57006STR-E |
| 参数属性 | PD57006STR-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封装外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线） |
| 文件大小 |
512.2 Kbytes |
| 页面数量 |
22 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-3 9:38:00 |
| 人工找货 | PD57006STR-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD57006STR-E规格书详情
PD57006STR-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD57006STR-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
PD57006STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
945MHz
- 增益：
15dB
- 额定电流（安培）：
1A
- 功率 - 输出：
6W
- 封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
- 描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
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