PD57006-E分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
![PD57006-E](https://img.114ic.com/dgk/Photos/STMicro%20Photos/PD57070-E.jpg)
厂商型号 |
PD57006-E |
参数属性 | PD57006-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线);包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
文件大小 |
512.2 Kbytes |
页面数量 |
22 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-22 17:59:00 |
PD57006-E规格书详情
PD57006-E属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。意法半导体(ST)集团制造生产的PD57006-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
PD57006-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
带
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
945MHz
- 增益:
15dB
- 额定电流(安培):
1A
- 功率 - 输出:
6W
- 封装/外壳:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
- 供应商器件封装:
PowerSO-10RF(成形引线)
- 描述:
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS/飞利浦 |
23+ |
TO-59 |
300 |
价格优势 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
PWRSO-10 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
ST |
原厂原封 |
36900 |
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询价 | |||
ST |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
65230 |
询价 | ||||
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST-意法半导体 |
24+25+/26+27+ |
SO-10RF |
2368 |
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询价 | ||
2406+ |
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ST |
22+ |
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ST |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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询价 |