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PD55003STR-E	文件：468.27 Kbytes Page：29 Pages	RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs Description ThePD55003-EisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55003boaststheexcellent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD55003STR-E	文件：473.99 Kbytes Page：29 Pages	RF power transistor from the LdmoST plastic family of N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Features ■Excellentthermalstability ■Commonsourceconfiguration ■POUT=3Wwith17dBgain@500MHz/12.5V Description ThePD55003-EisacommonsourceN-channel, enhancement-modelateralfield-effectRFpower transistor.Itisdesignedforhighgain,broadband commercialandind	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD55003STR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD55003TR-E	文件：473.99 Kbytes Page：29 Pages	RFpowertransistorfromtheLdmoSTplasticfamilyofN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Features ■Excellentthermalstability ■Commonsourceconfiguration ■POUT=3Wwith17dBgain@500MHz/12.5V Description ThePD55003-EisacommonsourceN-channel, enhancement-modelateralfield-effectRFpower transistor.Itisdesignedforhighgain,broadband commercialandind	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD55003TR-E	文件：468.27 Kbytes Page：29 Pages	RFPOWERtransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-mode,lateralMOSFETs Description ThePD55003-EisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55003boaststheexcellent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
QM55003	文件：775.44 Kbytes Page：25 Pages	Mid-BandLow-BandNB-IoTTxM	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QM55003DK	文件：775.44 Kbytes Page：25 Pages	Mid-BandLow-BandNB-IoTTxM	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
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QM55003SQ	文件：775.44 Kbytes Page：25 Pages	Mid-BandLow-BandNB-IoTTxM	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO

产品属性

产品编号：
PD55003STR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
带
晶体管类型：
LDMOS
频率：
500MHz
增益：
17dB
额定电流（安培）：
2.5A
功率 - 输出：
3W
封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
描述：
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

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