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QW430	文件：493.41 Kbytes Page：2 Pages	Highspringtemperrodstaysstraighterlonger	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
QWB430	文件：493.41 Kbytes Page：2 Pages	Highspringtemperrodstaysstraighterlonger	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
RLK430	文件：230.14 Kbytes Page：6 Pages	CeramicDiscCapacitors,Class1	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
RLU430	文件：230.14 Kbytes Page：6 Pages	CeramicDiscCapacitors,Class1	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
RLV430	文件：230.14 Kbytes Page：6 Pages	CeramicDiscCapacitors,Class1	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
RTAN430C	文件：129.82 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORWITHRESISTORFORMUTINGAPPLICATIONRTAN430XSERIESSILICONNPNEPITAXIALTYPE FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.80Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RTAN430M	文件：129.82 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORWITHRESISTORFORMUTINGAPPLICATIONRTAN430XSERIESSILICONNPNEPITAXIALTYPE FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.80Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RTAN430U	文件：129.82 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORWITHRESISTORFORMUTINGAPPLICATIONRTAN430XSERIESSILICONNPNEPITAXIALTYPE FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.80Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RTAN430X	文件：129.82 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORWITHRESISTORFORMUTINGAPPLICATIONRTAN430XSERIESSILICONNPNEPITAXIALTYPE FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.80Ω(TYP.)（@VI=5V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
SA430(C)-G	文件：145.16 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadTransientVoltageSuppressor	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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