首页 >PCM1792其他被动元件>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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GreenChipsynchronousrectifiercontroller | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
SWITCHINGN-ANDP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1792isN-andP-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforMotorDriveapplicationofHDDandsoon. FEATURES •Lowon-resistance N-ChannelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.4A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.4A) | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.4A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.4A) RDS(on)3=42mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=3.4A) P-channelRDS(on)1=36mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−2.9A) RDS(on)2=54mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−2. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.4A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.4A) RDS(on)3=42mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=3.4A) P-channelRDS(on)1=36mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−2.9A) RDS(on)2=54mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−2. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHINGN-ANDP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1792isN-andP-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforMotorDriveapplicationofHDDandsoon. FEATURES •Lowon-resistance N-ChannelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.4A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.4A) | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
UHFSPDTSwitch | CPICommunications & Power Industries, Inc. Cpi | CPI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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