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TEA1755T	文件：949.76 Kbytes Page：35 Pages	HVstart-upDCM/QRflybackcontrollerwithintegratedDCM/QRPFCcontroller	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TEA1755T	文件：422.096 Kbytes Page：35 Pages	TEA1755T	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 PDF上传者：深圳市明烽威电子有限公司	nxp
TEA1755T	文件：331.5 Kbytes Page：35 Pages	HVstart-upDCM/QRflybackcontrollerwithintegratedDCM/QRPFCcontroller Generaldescription TheGreenChipisthelatestgenerationofgreenSwitchedModePowerSupply(SMPS) controllerICs.TheTEA1755TcombinesacontrollerforPowerFactorCorrection(PFC) andaflybackcontroller.Itshighlevelofintegrationenablescost-effectivepowersupply designusinga	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
TR1755	文件：511.09 Kbytes Page：3 Pages	LEDheatsinkspecificallydesignedtooptimizeheatdissipation	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
TRS1755	文件：129.039 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYREFLECTIVECOLORSENSORWITHLIGHTTOVOLTAGECONVERTERS	TAOS TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS	TAOS
UM1755	文件：1.37489 Mbytes Page：123 Pages	Thepurposeofthisdocumentistodescribethedesignoftheapplication	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA1755	文件：59.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisDualN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=32mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.5	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1755	文件：227.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION ThisproductisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconvertersandpower managementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=32mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.5V,I	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1755G	文件：227.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION ThisproductisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconvertersandpower managementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=32mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.5V,I	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1755G	文件：59.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisDualN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=32mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.5	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

产品属性

产品编号：
PCM1755DBQR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > ADC/DAC - 特殊用途
包装：
管件
类型：
DAC，音频
分辨率（位）：
24 b
采样率（每秒）：
200k
数据接口：
I²S
供电电压源：
单电源
电压 - 供电：
5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SSOP
描述：
IC DAC/AUDIO 24BIT 200K 16SSOP

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更多PCM1755DBQR供应商更新时间2025-5-22 16:04:00

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