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REF6025	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
REF6025IDGKR	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
REF6025IDGKT	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
RJK6025DPD	文件：1.08611 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RJK6025DPD	文件：80.84 Kbytes Page：7 Pages	600V-1A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=13.5±typ.(atID=0.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6025DPD	文件：1.39517 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RJK6025DPE	文件：81.37 Kbytes Page：7 Pages	600V-0.8A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6025DPE	文件：84.02 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=13Ωtyp.(atID=0.4A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RX6025SAS	文件：913.91 Kbytes Page：6 Pages	ExpansionunitRX6025sas Highlights •On-The-FlyInstallation Addupto60additional3.5SynologySASHDDsor2.5 SynologySATASSDswithminimalsetupanddisruption2 •SimpleConfiguration LeveragenewstorageinminutesusingSynologyDSM’s unifiedtools •ServiceAvailabilitySafeguards Redundantcomponentsa	SYNOLOGYSynology Inc. 群晖科技	SYNOLOGY
S6025	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor

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