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PMBFJ111	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PMBFJ111	文件：87.77 Kbytes Page：9 Pages	N-channeljunctionFETsRev.4??20September2011 Generaldescription SymmetricalN-channeljunctionFETsinaSOT23package. Featuresandbenefits ■High-speedswitching ■Interchangeabilityofdrainandsourceconnections ■LowRDSonatzerogatevoltage( Applications ■Analogswitches ■Choppers ■Commutators ■Multiplexers ■Thin	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
P-MHDR-A111-XX	文件：115.52 Kbytes Page：2 Pages	d-subtechnicaldata	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
PM-OM111	文件：159.88 Kbytes Page：5 Pages	COMMONMODELINECHOKES	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PM-T111	文件：137.83 Kbytes Page：5 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRIDUAL&SINGLECORETHRU-HOLETRANSORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PM-T111E	文件：137.83 Kbytes Page：5 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRIDUAL&SINGLECORETHRU-HOLETRANSORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
P-MUSB-A111-XX	文件：84.62 Kbytes Page：2 Pages	CONTACTRESISTANCE	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
P-MUSB-C111-XX	文件：213.68 Kbytes Page：2 Pages	GASKET-SILICONERUBBER,BLACK	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
P-MUSB-D111-XX	文件：91.15 Kbytes Page：2 Pages	USBSHIELDANDBACKCOVER:COPPERALLOY	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
P-MUSBR-A111	文件：227.76 Kbytes Page：3 Pages	MUSBRRuggedUSB	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL

详细参数

型号：
PCK111BD-T
功能描述：
时钟驱动器及分配 LOWVOLT
1：
10 DIFF PECL CLK DR
RoHS：
否
制造商：
Micrel
1：
4
输出类型：
Differential
最大输出频率：
4.2 GHz
电源电压-最小：
5 V
最大工作温度：
+ 85 C
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Reel

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