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SI4410BDY	文件：98.84 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFETPowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •BatterySwitch •LoadSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4410DY	文件：95.92 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThisN-channelHEXFET®PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowon-resistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications TheSO-	IRF International Rectifier	IRF
SI4410DY	文件：239.03 Kbytes Page：3 Pages	SingleN-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thisdeviceiswellsuitedforlowvoltageandbattery	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI4410DY	文件：266.95 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: Si4410DYinSOT96-1(SO8). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS™technology. Applications ■DCtoDCconvertor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SI4410DY	文件：61.1 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES TrenchFETPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4410DY	文件：376.66 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowcond	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
SI4410DY	文件：1.18399 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI4410DY	文件：478.65 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SI4410DY-HF	文件：1.48498 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI4410DYPBF	文件：119.18 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisN-channelHEXFET®PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
PCI4410AGHK
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 控制器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
协议：
PCI CardBus
功能：
控制器
接口：
PCI
标准：
IEEE 1394-1995，OHCI
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
209-LFBGA
供应商器件封装：
209-BGA MICROSTAR（16x16）
描述：
IC INTEGRATED PC CARD 209-BGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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