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UC1706J	文件：318.78 Kbytes Page：11 Pages	DualOutputDriver FEATURES •Dual,1.5ATotemPoleOutputs •40nsecRiseandFallinto1000pF •ParallelorPush-PullOperation •Single-EndedtoPush-PullConversion •High-Speed,PowerMOSFET Compatible •LowCross-ConductionCurrentSpike •Analog,LatchedShutdown •InternalDeadbandInhibitCircuit •	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
UC1706J	文件：212.74 Kbytes Page：8 Pages	DualOutputDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC1706J.A	文件：318.78 Kbytes Page：11 Pages	DualOutputDriver FEATURES •Dual,1.5ATotemPoleOutputs •40nsecRiseandFallinto1000pF •ParallelorPush-PullOperation •Single-EndedtoPush-PullConversion •High-Speed,PowerMOSFET Compatible •LowCross-ConductionCurrentSpike •Analog,LatchedShutdown •InternalDeadbandInhibitCircuit •	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
UC1706L	文件：715.93 Kbytes Page：10 Pages	DualOutputDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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UC1706L	文件：756.4 Kbytes Page：11 Pages	DualOutputDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC1706L	文件：318.78 Kbytes Page：11 Pages	DualOutputDriver FEATURES •Dual,1.5ATotemPoleOutputs •40nsecRiseandFallinto1000pF •ParallelorPush-PullOperation •Single-EndedtoPush-PullConversion •High-Speed,PowerMOSFET Compatible •LowCross-ConductionCurrentSpike •Analog,LatchedShutdown •InternalDeadbandInhibitCircuit •	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
UC1706L.A	文件：318.78 Kbytes Page：11 Pages	DualOutputDriver FEATURES •Dual,1.5ATotemPoleOutputs •40nsecRiseandFallinto1000pF •ParallelorPush-PullOperation •Single-EndedtoPush-PullConversion •High-Speed,PowerMOSFET Compatible •LowCross-ConductionCurrentSpike •Analog,LatchedShutdown •InternalDeadbandInhibitCircuit •	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
UPA1706	文件：226.58 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Superlowon-resistance RDS(on)1=5.8mΩTYP.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.0mΩTYP.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.0mΩTYP.(VGS=4.0V,ID=7.0A) •LowCiss:Ciss=3000pFTYP. •Built-inG-Sprotectio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1706	文件：60.61 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •SuperLowon-resistance RDS(on)1=5.8mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.0mΩ(TYP.)(VGS=4.5V	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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