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PCGA300T65DF8M1数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

PCGA300T65DF8M1

功能描述

IGBT 650 V, 300 A Field Stop Trench Gen3 (FS3) Bare Die with Solderable/Sinterable Top Metal. Pairing with PCRKA30065F8M1

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 13:30:00

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PCGA300T65DF8M1规格书详情

特性 Features

• AEC−Q101 Qualified
• Pass 100% HTRB test which gives better reliability performance than parts passing older versioin AEC-Q101
• Maximum Junction Temperature 175°C
• Extra temperature margin than 150°C rated device
• Positive Temperature Coefficient
• Easy Paralleling
• Integrated Temperature Sensor
• More accurate and sensitive than conventional NTC sensor
• Integrated Current Sensor
• Much faster protection in the event of over current and short circuit
• Short Circuit Rated
• Very Low Saturation Voltage: VCE(SAT) = 1.5 V(Typ.) @ IC = 300 A

应用 Application

• Automotive Traction modules
• General Power Modules
• xEV

技术参数

  • 制造商编号

    :PCGA300T65DF8M1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :300

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.25

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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