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PCGA200T65NF8中文资料IGBT,650 V,200 A 场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

PCGA200T65NF8

功能描述

IGBT,650 V,200 A 场截止沟槽

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 18:01:00

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PCGA200T65NF8规格书详情

特性 Features

• 符合 AEC-Q101 标准
• 最高结温 175°C
• 正温度系数
•易于并联
• 短路额定电流
•非常低的饱和电压: VCE(SAT) = 1.53 V (典型值) @ IC = 200A
•针对电机控制应用进行优化

技术参数

  • 制造商编号

    :PCGA200T65NF8

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :200

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.53

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :-

  • Eon Typ (mJ)

    :-

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :229

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :5

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :-

  • Co-Packaged Diode

    :No

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