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TS3310	文件：1.48205 Mbytes Page：18 Pages	ATrue150-nAIQ,0.9-3.6VIN,Selectable1.8-5VOUTInstant-OnTMBoostConverter DESCRIPTION TheTS3310isalowpowerboostswitchingregulatorwithanindustryleadinglowquiescentcurrentof150nA.The150nAistheactualcurrentconsumedfromthebatterywhiletheoutputisinregulation.TheTS3310’sextremelylowpowerinternalcircuitryconsumes90nAonaverage,with	TOUCHSTONE Touchstone Technologies，Inc	TOUCHSTONE
TS3310	文件：8.91111 Mbytes Page：20 Pages	User-enabledSecondaryOutputLoadSwitch DESCRIPTION TheTS3310isalowpowerboostswitchingregulatorwithanindustryleadinglowquiescentcurrentof150nA.The150nAistheactualcurrentconsumedfromthebatterywhiletheoutputisinregulation.TheTS3310’sextremelylowpowerinternalcircuitryconsumes90nAonaverage,with	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
UT3310	文件：163.48 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UTR3310	文件：151.46 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION Smallsizeandhighsurgecapabilitymakethisseriesofpowerswitchingrectifiersdesirableforpowersupplieswheresize,weightandreliabilityareimportant. FEATURES ●ContinuousRating:to4A ●ControlledAvalanche ●SurgeRating:to100A ●PIV:to600V ●MiniaturePackag	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UTR3310	文件：153.55 Kbytes Page：3 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
VBA3310	文件：616.56 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel0-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA3310	文件：631 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE3310	文件：494.51 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VDA3310CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA3310NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

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