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AKW410-W	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AKW410-Y	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
ALAN-410	文件：412.52 Kbytes Page：4 Pages	LANCOUPLINGTRANSFORMERS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
AMA410N	文件：358.15 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMR410N	文件：344.27 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AND410HB	文件：56.24 Kbytes Page：2 Pages	UltraBrightLEDLamps	PURDYPurdy Electronics Corporation 审慎电子	PURDY
AOB410L	文件：319.38 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT410L/AOB410LisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgen	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB410L	文件：282.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-263(D2PAK)packaging •Highspeedswitching •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD410	文件：244.41 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD410usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.AOD410L(GreenProduct)isofferedinalead-freepackage. Features VDS(V)=30V ID=8A RDS(	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD410	文件：116.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AOD410	文件：318.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD410	文件：1.01516 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD410L	文件：116.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AOGW410-B	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOGW410-G	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOGW410-R	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOGW410-S	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOGW410-W	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOGW410-Y	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOI410	文件：330.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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