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PC3M0045065L	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs; • Low On-State Resistance over Temperature\n• Low Parasitic Capacitances\n• Fast Diode with ultra low reverse recovery\n• High Temperature Operation (TJ = 175°C)\n• Kelvin Source Pin\n• Industry Standard Through-Hole & SMT Packages\n; Low On-State Resistance over TemperatureLow Parasitic CapacitancesFast Diode with ultra low reverse recoveryHigh Temperature Operation (TJ = 175°C)Kelvin Source PinIndustry Standard Through-Hole & SMT Packages	Wolfspeed(CREE) WOLFSPEED, INC.	Wolfspeed(CREE)
PC3M0045065L	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：650V MOSFET	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C3M0045065D	文件：961.61 Kbytes Page：11 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C3M0045065D	文件：960.72 Kbytes Page：11 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •3rdGenerationSiCMOSFETtechnology •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •Highspeedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •Halogenfree,RoHScompliant Benefits •Highersystemefficiency •Reducedcoolingrequiremen	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C3M0045065K	文件：1.08429 Mbytes Page：12 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C3M0045065K	文件：1.08343 Mbytes Page：12 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •C3MTMSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •8mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C3M0045065K	文件：361.56 Kbytes Page：3 Pages	SiCN-ChannelMOSFET FEATURES ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·EasytoParallelandSimpletoDrive APPLICATIONS ·SolarInverters ·UPS ·SMPS ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C3M0045065L	文件：976.1 Kbytes Page：13 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •3rdgenerationSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •Halogenfree,RoHScompliant Benefits •R	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
E3M0045065K	文件：1.13431 Mbytes Page：13 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETE-SeriesAutomotiveN-ChannelEnhancementMode Features •3rdgenerationSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •8mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

产品属性

产品编号：
PC3M0045065L
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
管件
技术：
SiCFET（碳化硅）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
51A
功率耗散（最大值）：
160W
工作温度：
150°C（TJ）
描述：
650V MOSFET

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