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SMCJ5630	文件：322.81 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SMCJ5630	文件：426.36 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SMCJ5630A	文件：426.36 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SMCJ5630A	文件：322.81 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
STA5630	文件：85.53 Kbytes Page：7 Pages	LowpowerGPSRFfront-end	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STA5630TR	文件：85.53 Kbytes Page：7 Pages	LowpowerGPSRFfront-end	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
T5630B	文件：68.56 Kbytes Page：2 Pages	ActiveSinglechannelAnalogsignalIsolationbarrier	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司	MORNSUN
T5630D/S	文件：90.68 Kbytes Page：2 Pages	ACTIVESIGNALAMPLIFIER	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司	MORNSUN
T5630DSLASHS	文件：90.68 Kbytes Page：2 Pages	ACTIVESIGNALAMPLIFIER	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司	MORNSUN
T5630P	文件：226 Kbytes Page：4 Pages	IsolatedTransmitter	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司	MORNSUN

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详细参数

型号：
PBSS5630PA
功能描述：
两极晶体管 - BJT 30V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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