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PBSS5540ZF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PBSS5540Z/SC-73/REEL 13\	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5540Z-Q	文件：222.84 Kbytes Page：10 Pages	40 V low VCEsat PNP transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package. NPN complement: PBSS4540Z-Q 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation • Qualified according to AEC 文件：222.84 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PJQ5540-AU	文件：402.69 Kbytes Page：6 Pages	40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A 文件：402.69 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJQ5540C-AU	文件：633.75 Kbytes Page：6 Pages	40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A 文件：633.75 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

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