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PBSS5350THR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5350T-Q	文件：225.03 Kbytes Page：11 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350X	文件：107.55 Kbytes Page：11 Pages	50V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350X. FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprin	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350X	文件：214.52 Kbytes Page：12 Pages	50V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350X. FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprin	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5350X	文件：908.92 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5350X	文件：277.8 Kbytes Page：12 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350X 2.Featuresandbenefits •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolesshea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350Z	文件：156.52 Kbytes Page：9 Pages	50VlowVCEsatPNPtransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350Z	文件：156.52 Kbytes Page：9 Pages	50VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350Z. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneratio	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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产品属性

产品编号：
PBSS5350THR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
390mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 3A，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB

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