PBSS5350T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5350T |
| 参数属性 | PBSS5350T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB |
| 功能描述 | 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
86.2 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-16 10:40:00 |
| 人工找货 | PBSS5350T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5350T规格书详情
DESCRIPTION
PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: PBSS4350T.
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain
• Improved efficiency due to reduced heat generation.
APPLICATIONS
• Power management applications
• Low and medium power DC/DC convertors
• Supply line switching
• Battery chargers
• Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO).
产品属性
- 产品编号：
PBSS5350THR
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
390mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 3A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
23+ |
SOT23 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
恩XP |
2022+ |
SOT-23 |
360 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT-23 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
30000 |
全新原装正品现货假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT23 |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
5070 |
全新原装,价格优势,原厂原包 |
询价 | ||
Nexperia/安世 |
23+ |
SOT-23 |
20000 |
询价 |
