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PBSS5350T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5350T
厂商型号

PBSS5350T

参数属性

PBSS5350T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB

功能描述

Low VCEsat (BISS) transistors

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

948.33 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-7-6 14:54:00

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产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5350THR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    390mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 3A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB

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