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PBSS5250THR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250X	文件：47.07 Kbytes Page：8 Pages	50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. NPN complement: PBSS4250X. FEATURES • SOT89 (SC-62) package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced prin 文件：47.07 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5250X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5250X	文件：83.32 Kbytes Page：9 Pages	50 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES · SOT89 (SC-62) package · Low collector-emitter saturation voltage VCEsat · High collector current capability: IC and ICM · Higher efficiency leading to less heat generation · Reduced printed-circuit board requirements. APPLICATIONS · Power management – DC/DC converters – Suppl 文件：83.32 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
PBSS5250THR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB

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