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S4560P	文件：304.31 Kbytes Page：3 Pages	DualhighslewrateOPAMP	AUK AUK corp	AUK
S4560P	文件：103.61 Kbytes Page：4 Pages	DualhighslewrateOPAMP	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SN4560	文件：149.76 Kbytes Page：5 Pages	DualhighslewrateOPAMP	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STLC4560	文件：105.9 Kbytes Page：8 Pages	Singlechip802.11b/gWLANradio	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STLC4560TRAY	文件：105.9 Kbytes Page：8 Pages	Singlechip802.11b/gWLANradio	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TDA4560	文件：67.12 Kbytes Page：9 Pages	Colourtransientimprovementcircuit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
UPC4560	文件：326.99 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Internalfrequencycompensation •Gainbandwidthproducts:10MHzTYP. •Lownoise:6μVp-pTYP. •Highoutputcurrent	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC4560	文件：286.98 Kbytes Page：10 Pages	HIGHPERFORMANCEDUALOPERATIONALAMPLIFIER??? SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC4560C	文件：286.98 Kbytes Page：10 Pages	HIGHPERFORMANCEDUALOPERATIONALAMPLIFIER??? SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UTCMC4560	文件：190.51 Kbytes Page：5 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheUTCMC4560isadualoperationalamplifiersuitablefordriving20Vpeak-to-peakinto400Ωloads.Itoffermanyfeatureswhichprovidethecapabilityofwiderbandwidth,andhigherslewratetomakeitidealforactivefilters,dataandtelecommunications,andmanyinstrumentati	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
PBSS4560PA
功能描述：
两极晶体管 - BJT 60V 6A NPN LO VCEsat TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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