PBSS4420D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	PBSS4420D
参数属性	PBSS4420D 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 20V 4A 6TSOP
功能描述	20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
封装外壳	SC-74，SOT-457
文件大小	117.83 Kbytes
页面数量	16 页
生产厂商	PHI
中文名称	飞利浦
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-11-30 14:18:00
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General description

NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) SMD plastic package.

PNP complement: PBSS5420D.

特性 Features

■ Very low collector-emitter saturation resistance

■ Ultra low collector-emitter saturation voltage

■ 4 A continuous collector current

■ Up to 15 A peak current

■ High efficiency due to less heat generation

Applications

■ Power management functions

■ Charging circuits

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Power switches (e.g. motors, fans)

■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

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