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RO4350B	文件：295.24 Kbytes Page：7 Pages	GaNDohertyHybridAmplifier Description Accommodatingthefutureof4G/LTEsmallcells,RFHICintroducesRTH23007-10amplifierfabricatedusinganadvancedhighpowerdensityGalliumNitride(GaN)semiconductorprocess.Thishighperformanceamplifierachieveshighefficiencyof45,andpowers7Woverthefrequencyrange	RFHIC rfhic	RFHIC
RO4350B	文件：1.28273 Mbytes Page：8 Pages	GaNHybridPowerAmplifier	HONGFAHongfa Technology 宏发电声厦门宏发电声股份有限公司	HONGFA
RO4350B	文件：868.17 Kbytes Page：13 Pages	RFPowerFieldEffectTransistorsN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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S4350	文件：89.19 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerRectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
S4350	文件：116.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •Softrecovery •GlassPassivatedDie •2500AmpsSurgeRating •Glasstometalsealconstruction •VRRMto1600V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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产品属性

产品编号：
PBSS4350TVL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
370mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 50V 2A TO236AB

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