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TGF4260-EPU	文件：90.3 Kbytes Page：1 Pages	9.6mmDiscreteHFET 9.6mmDiscreteHFET ●9600mx0.5m ●NominalPoutof37-dBmat6.0GHz ●NominalGainof9.5-dBat6.0GHz ●NominalPAEof52at6.0GHz ●Suitableforhighreliabilityapplications ●0,572x2,324x0,102mm(0.023x0.092x0.004in.)	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGF4260-SCC	文件：432.84 Kbytes Page：9 Pages	9.6mmDiscreteHFET	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGF4260-SCC	文件：426.89 Kbytes Page：9 Pages	9.6mmDiscreteHFET Description TheTriQuintTGF4260-SCCisasinglegate9.6mmdiscreteGaAsHeterostructureFieldEffectTransistor(HFET)designedforhighefficiencypowerapplicationsupto10.5GHzinClassAandClassABoperation. KeyFeaturesandPerformance •9600µmx0.5µmHFET •NominalPoutof37d	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TLE4260	文件：139.79 Kbytes Page：14 Pages	5-VLow-DropVoltageRegulator Features •Low-dropvoltage •Verylowquiescentcurrent •Lowstartingcurrentconsumption •Integratedtemperatureprotection •Protectionagainstreversepolarity •Inputvoltageupto42V •Overvoltageprotectionupto65V(≤400ms) •Short-circuitproof •Suitedforautomotiveele	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
TLE4260S	文件：139.79 Kbytes Page：14 Pages	5-VLow-DropVoltageRegulator Features •Low-dropvoltage •Verylowquiescentcurrent •Lowstartingcurrentconsumption •Integratedtemperatureprotection •Protectionagainstreversepolarity •Inputvoltageupto42V •Overvoltageprotectionupto65V(≤400ms) •Short-circuitproof •Suitedforautomotiveele	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
TMP4260P	文件：135.58 Kbytes Page：8 Pages	NMOS4-BITMICROCONTROLLER NMOS4-BITMICROCONTROLLER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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更多PBSS4260PANPS供应商更新时间2025-7-25 12:00:00

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