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PBSS4160DPN	文件：120.13 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription NPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistorpairinaSOT457(SC-74)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,reducesheatgeneration ■Reducesprinted-circuitboardarearequire	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4160DPN	文件：380.69 Kbytes Page：19 Pages	Marking：B4；Package：SC-74；60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160DPN_15	文件：267.84 Kbytes Page：18 Pages	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4160DS	文件：154.36 Kbytes Page：14 Pages	60V1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorpairinaSOT457(SC-74)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160DS. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4160DS	文件：329.95 Kbytes Page：15 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160PAN	文件：752.37 Kbytes Page：17 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAP. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160PAN	文件：276.45 Kbytes Page：17 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAP. Featuresandbenefits •Verylowcollector-emitt	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4160PANP	文件：368.23 Kbytes Page：21 Pages	60V,1ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAP. Featuresandbenefits •Verylowcollector-emitte	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4160PANP	文件：337.41 Kbytes Page：21 Pages	60V,1ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpower DFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAP. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160PANPS	文件：804.95 Kbytes Page：23 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpowerDFN2020D-6(SOT1118D)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPN/NPNcomplement:PBSS4160PANS.PNP/PNPcomplement:PBSS5160PAPS. Features	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS4160DPN
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A,PBSS4160DPN

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