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PBSS4160DPN	文件：120.13 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) plastic package. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability IC and ICM ■ High efficiency, reduces heat generation ■ Reduces printed-circuit board area require 文件：120.13 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4160DPN	文件：380.69 Kbytes Page：19 Pages	丝印：B4；Package：SC-74；60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability: IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件：380.69 Kbytes 页数：19 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160DPN_15	文件：267.84 Kbytes Page：18 Pages	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：267.84 Kbytes 页数：18 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4160DPN	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor NPN/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability: IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• High efficiency due to less heat generation\n• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n• AEC-Q101 qualifi;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4160DPN-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat transistor NPN/PNP low VCEsat transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSOP6
Size (mm)：
2.9 x 1.5 x 1
Product status：
Production
Polarity：
NPN/PNP
Nr of transistors：
2
Ptot [max] (mW)：
560
VCEO [max] (V)：
60
IC [max] (A)：
0.87
VCEsat [max] (NPN) (mV)：
250
VCEsat [max] (PNP) (mV)：
-330
RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：
330
hFE [min]：
250
fT [typ] (MHz)：
220

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更多PBSS4160DPN供应商更新时间2025-10-8 15:10:00

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