PBSS4140V数据手册Nexperia中文资料规格书
PBSS4140V规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat transistor with high current capability in a SOT666 plastic package. PNP complement: PBSS5140V.
技术参数
- 型号：
PBSS4140V
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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