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PBSS4041SPN	文件：547.81 Kbytes Page：20 Pages	60 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features and benefits ■ Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability IC and ICM ■ Hig 文件：547.81 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4041SPN	文件：1.22868 Mbytes Page：20 Pages	丝印：4041SPN；Package：SO8；60 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Features and benefits * Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional tr 文件：1.22868 Mbytes 页数：20 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4041SPN_15	文件：547.81 Kbytes Page：20 Pages	60 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：547.81 Kbytes 页数：20 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4041SPN	文件：300 bytes Page：1 Pages	PBSS4041SPN - 60 V NPN/PNP low V_CEsat (BISS) transistor 60 V NPN/PNP low V_CEsat (BISS) transistor - NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. ·Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n·High collector current capability IC and ICM\n·High collector current gain (hFE) at high IC\n·High efficiency due to less heat generation\n·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT96-1
Package name：
SO8
Size (mm)：
4.9 x 3.9 x 1.75
Product status：
Production
Polarity：
NPN/PNP
number of transistors：
2
P_tot [max] (mW)：
1399.9999999999999
V_CEO [max] (V)：
60
I_C [max] (A)：
6.7
V_CEsat [max] (NPN) (mV)：
350
V_CEsat [max] (PNP) (mV)：
-275
R_CEsat@I_C [max]; I_C/I_B =10 [typ] (mΩ)：
70.000000000000007
h_FE [min]：
300
f_T [typ] (MHz)：
130

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