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PBSS4021NZ-Q	文件：377.04 Kbytes Page：15 Pages	Marking：PB4021NZ；Package：SC-73；20 V, 8 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4021PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021PT	文件：298.42 Kbytes Page：15 Pages	20V,3.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanfor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021PT-Q	文件：342.29 Kbytes Page：15 Pages	20V,3.5APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4021NT-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurre	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021PX	文件：748.33 Kbytes Page：15 Pages	20V,6.2APNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021PZ	文件：729.66 Kbytes Page：15 Pages	20V,6.6APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021PZ-Q	文件：377.36 Kbytes Page：15 Pages	20V,6.6APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4021NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021SN	文件：175.14 Kbytes Page：15 Pages	20V,7.5ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4021SN	文件：854.4 Kbytes Page：15 Pages	20V,7.5ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021SP	文件：1.08979 Mbytes Page：15 Pages	20V,6.3APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcol	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4021SPN	文件：223.41 Kbytes Page：20 Pages	20VNPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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