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PBSS2540MB	文件：1.18302 Mbytes Page：12 Pages	Marking：PBSS2540MB；Package：DFN1006B-3；40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3540MB. Featuresandbenefits ■LeadlessultrasmallSMDplastic package ■Lowpackageheight	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PBSS2540MB

文件：1.18302 Mbytes

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Marking：PBSS2540MB；Package：DFN1006B-3；40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3540MB. Featuresandbenefits ■LeadlessultrasmallSMDplastic package ■Lowpackageheight

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS2540MB
功能描述：
两极晶体管 - BJT 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	PBSS2540MB	Nexperia/安世	22+	SOT883B	300000	原厂原装正品现货	询价
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更多PBSS2540MB供应商更新时间2025-6-24 16:20:00

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