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PC123A	文件：714.78 Kbytes Page：15 Pages	DEVICESPECIFICATIONFORPHOTOCOUPLER ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC123B	文件：280.15 Kbytes Page：16 Pages	DIP4pinReinforcedInsulationTypePhotocoupler ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC123F	文件：79.24 Kbytes Page：4 Pages	EuropeanSafetyStandardApprovedTypeLongCreepageDistancePhotocoupler ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC123Y	文件：6.0518 Mbytes Page：70 Pages	COLOURTELEVISION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
PCE-123	文件：216.12 Kbytes Page：2 Pages	ProcessCalibratorPCE-123	PCE PCE Instruments.	PCE
PCHC123H	文件：344.84 Kbytes Page：1 Pages	PowerChokeHighCurrent	ALLIED Allied Components International	ALLIED
PCHC123HP	文件：347.58 Kbytes Page：1 Pages	PowerChokeHighCurrent	ALLIED Allied Components International	ALLIED
PDTA123E	文件：102.48 Kbytes Page：14 Pages	PNPresistor-equippedtransistors DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTA123E	文件：421.94 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTA123E_SER	文件：421.92 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver. DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplif	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBRN123YS
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RETS
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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